Просмотр сведений о научной статье


Обложка номера

№3 2018

Заголовок

Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии «Катунь-100»

Авторы

1В.В. Блинов, 1В.И. Машанов, 1,2А.И. Никифоров, 1Д.Н. Придачин, 1Д.О. Пчеляков, 1,2О.П. Пчеляков, 1Л.В. Соколов, 1В.П. Титов

Организации

1Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН
г. Новосибирск, Российская Федерация
2Томский государственный университет
г. Томск, Российская Федерация

Аннотация

Одной из наиболее перспективных в полупроводниковой электронике технологий является молекулярно-лучевая эпитаксия, которая представляет собой последовательное осаждение на полупроводниковую подложку слоев атомной толщины различных материалов из молекулярных пучков в условиях сверхвысокого вакуума (давление остаточных газов менее 10–8 Па). В ходе этого процесса (in situ) проводится диагностика молекулярных пучков и формируемых наногетероструктур. Создание высокоэффективных приборов микро-, нано- и фотоэлектроники на основе полупроводниковых наногетероструктур, состоящих из соединений III-V, выращенных на дешевых и прочных Si подложках, является одной из приоритетных задач современного полупроводникового материаловедения. Решение этой проблемы крайне важно и для развития высокоэффективной фотовольтаики. Современные высокоэффективные солнечные элементы представляют собой сложные многослойные гетеросистемы с КПД до 45 % при концентрации солнечного излучения в несколько сотен солнц. Они состоят из трех основных p-n переходов, выполненных из Ge, InGaAs, InGaP и соединенных последовательно туннельными диодами. В настоящей статье представлена автоматизированная компактная установка молекулярно-лучевой эпитаксии нового поколения для эпитаксии плёнок и наноструктур на основе Si, Ge и (или) соединений типа А3В5, разработанная в Институте физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН

Ключевые слова

молекулярно-лучевая эпитаксия, полупроводниковые наногетероструктуры, солнечные элементы, сверхвысокий вакуум, космическое материаловедение

Список литературы

[1] Новое оборудование для молекулярно-лучевой эпитаксии [Электронный ресурс]. URL: http://lib.isp.nsc.ru/16/Renew/pgs/Laboratory/K-100.html (дата обращения: 22.08.2018).

[2] Валиев К. А., Орликовский А. А. Технологии СБИС: основные тенденции развития / Электроника: Наука, технология, бизнес. 1996. № 5–6. С. 3–11.

[3] Hueser J. E., Brock F. J. Theoretical analysis of the density within an orbiting molecular shield // J. Vac. Sci. Technol., 1976, vol. 13, no. 3, pp. 702–710.

[4] Melfi L. T., Outlaw R. A., Hueser J. E, Brock F. J. Molecular shield: An orbiting low-density materials laboratory // J. Vac. Sci. Thechnol., 1976, vol. 13, no. 3, p. 698.

[5] Ignatiev A. The Wake Shield Facility and Space-Based Thin Film Science and Technology // Earth Space Review, 1995, no. 4, p. 10.

[6] News Briefs // Compound semiconductors, 1997, no. 1, p. 11.

[7] Neu G., Teisserire M., Freundlich A., Horton C., Ignatiev A. // Appl. Phys. Lett., 1999, vol. 74, no. 22, pp. 3341–3343.

[8] Бержатый В. И., Зворыкин Л. Л., Иванов А. И., Пчеляков О. П., Соколов Л. В. Перспективы реализации вакуумных технологий в условиях орбитального полета // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтральные исследования, 2001, № 9, С. 63–73.

[9] Ignatiev A., Freundlich A., Pchelyakov O., Nikiforov A., Sokolov L., Pridachin D., Blinov V. Molecular Beam Epitaxy in the Ultravacuum of Space: Present and Near Future // From Research to Mass Production, 2018, pp. 741–749. doi: 10.1016/B978-0-12-812136-8.00035-9

[10] Pchelyakov O. P., Dvurechensky A. V., Latyshev A. V., Aseev A. L. Ge/Si heterostructures with coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronics // Semiconductor Science and Technology, 2011, vol. 26, no. 1, pp. 14–27. doi: 10.1088/0268-1242/26/1/014027



Цитирование данной статьи

Блинов В.В., Машанов В.И., Никифоров А.И., Придачин Д.Н., Пчеляков Д.О., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Титов В.П. Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии «Катунь-100» // Космические аппараты и технологии. 2018. Т. 2. № 3. С. 170-174. doi: 10.26732/2618-7957-2018-3-170-174